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Vishay推出P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

发布时间:2020-07-21 19:16:51 阅读: 来源:抛光膏厂家

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内,这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。

本文引用地址:新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节距工艺,将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半:在4.5V、2.5V、2V和1.8V电压下的导通电阻分别为32 m?、46m?、65m?和120m?。

Si8499DB采用第三代TrenchFET P沟道技术,器件的芯片级封装具有最大的裸片与占位比,在非常紧凑的器件内提供了超低导通电阻。MICRO FOOT封装所需的PCB面积只有TSOP-6的1/6,而导通电阻则很相近,从而为其他产品功能腾出空间,或是使终端产品变得更小。

MOSFE的低导通电阻意味着负载、充电器和电池开关中更低的压降,使智能手机、PDA和MP3播放器等个人手持设备能够更快地充电,在两次充电之间的电池寿命更长。

MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规范,符合RoHS指令2002/95/EC。

Si8499DB TrenchFET功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十六周。

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